A Samsung 12 Nm szintű 32 GB -os DDR5 DRAM -ot indít, akár 128 GB -os memória modulokat támogatva
A WCCFTECH szerint a Samsung bejelentette a világ első 32 GB -os DDR5 DRAM -megoldásának elindítását a 12 NM folyamat technológián alapuló, amely akár 128 GB memóriamodulokat is támogathat.
Eddig a memóriakészítők, például az SK Hynix és a Micron 24 GB DDR5 DRAM -ot biztosítottak, amelyek 96 GB -os memóriamegoldást érhetnek el, de a Samsung 33,3% -kal növelte kapacitását 12 nm -es szintű megoldással.Ugyanakkor a Micron megerősítette a 32 GB -os DDR5 DRAM elindítását is, de eddig csak egy ütemtervet adtak ki.
A Samsung ez év májusában bejelentette a 12 Nm szintű 16 GB -os DDR5 DRAM tömegtermelésének kezdetét.Az új, 12 Nm -es 32 GB -os DDR5 szintű DRAM -ot a tömegtermelés megkezdi az év végén.
A Samsung kijelentette, hogy egy 12 nm-es 32 GB-os DRAM-mal, egy olyan megoldással, amely akár 1 TB-os DRAM-modulokat is elérhet, kielégítheti a nagy kapacitású DRAM iránti növekvő igényt a mesterséges intelligencia korszakában.
A Samsung 1983 -ban fejlesztette ki első 64 kb -os DRAM -ot, és az elmúlt negyven évben sikeresen növelte dram -kapacitását.
A Samsung legújabb memóriatermékeit élvonalbeli folyamatok és technológiák felhasználásával fejlesztették ki az integrációs sűrűség és a tervezés optimalizálásának javítása érdekében.Az iparág legmagasabb egységes chipkapacitása van, és kétszer biztosítja a 16 GB -os DDR3 DRAM kapacitását, ugyanabban a csomagolási méretben.
Korábban a 16 GB -os DRAM alkalmazásával gyártott DDR5 128 GB DRAM modulok megkövetelték a szilícium használatát a lyuk (TSV) technológián keresztül.Most, a Samsung 32 GB DRAM használatával 128 GB -os modulok előállíthatók a TSV technológia használata nélkül, miközben az energiafogyasztást kb. 10% -kal csökkentik, szemben a 128 GB -os modulokkal, 16 GB -os DRAM -ot használva.Ez a technológiai áttörés ez a termék az egyik legjobb megoldás az energiahatékonysági tudatos vállalkozások számára, például az adatközpontok számára.
A 12 Nm-es 32 GB-os DDR5 DRAM alapján a Samsung azt tervezi, hogy továbbra is bővíti nagy kapacitású DRAM termékcsoportját, hogy megfeleljen a számítástechnika és az informatikai ipar jelenlegi és jövőbeli igényeinek.A Samsung megerősíti vezetői pozícióját a következő generációs DRAM-piacon azáltal, hogy 12 Nm szintű 32 GB-os DRAM-ot biztosít az adatközpontokban, a mesterséges intelligenciában és a következő generációs számítástechnikai alkalmazásokban.
A Samsung ez év májusában bejelentette a 12 Nm szintű 16 GB -os DDR5 DRAM tömegtermelésének kezdetét.Az új, 12 Nm -es 32 GB -os DDR5 szintű DRAM -ot a tömegtermelés megkezdi az év végén.
A Samsung kijelentette, hogy egy 12 nm-es 32 GB-os DRAM-mal, egy olyan megoldással, amely akár 1 TB-os DRAM-modulokat is elérhet, kielégítheti a nagy kapacitású DRAM iránti növekvő igényt a mesterséges intelligencia korszakában.
A Samsung 1983 -ban fejlesztette ki első 64 kb -os DRAM -ot, és az elmúlt negyven évben sikeresen növelte dram -kapacitását.
A Samsung legújabb memóriatermékeit élvonalbeli folyamatok és technológiák felhasználásával fejlesztették ki az integrációs sűrűség és a tervezés optimalizálásának javítása érdekében.Az iparág legmagasabb egységes chipkapacitása van, és kétszer biztosítja a 16 GB -os DDR3 DRAM kapacitását, ugyanabban a csomagolási méretben.
Korábban a 16 GB -os DRAM alkalmazásával gyártott DDR5 128 GB DRAM modulok megkövetelték a szilícium használatát a lyuk (TSV) technológián keresztül.Most, a Samsung 32 GB DRAM használatával 128 GB -os modulok előállíthatók a TSV technológia használata nélkül, miközben az energiafogyasztást kb. 10% -kal csökkentik, szemben a 128 GB -os modulokkal, 16 GB -os DRAM -ot használva.Ez a technológiai áttörés ez a termék az egyik legjobb megoldás az energiahatékonysági tudatos vállalkozások számára, például az adatközpontok számára.
A 12 Nm-es 32 GB-os DDR5 DRAM alapján a Samsung azt tervezi, hogy továbbra is bővíti nagy kapacitású DRAM termékcsoportját, hogy megfeleljen a számítástechnika és az informatikai ipar jelenlegi és jövőbeli igényeinek.A Samsung megerősíti vezetői pozícióját a következő generációs DRAM-piacon azáltal, hogy 12 Nm szintű 32 GB-os DRAM-ot biztosít az adatközpontokban, a mesterséges intelligenciában és a következő generációs számítástechnikai alkalmazásokban.