MOSFET vs. IGBT

A Power Electronics világában a megfelelő félvezető eszköz kiválasztása nagyon fontos az elektronikus rendszerek teljesítményének, hatékonyságának és megbízhatóságának javítása érdekében.Két népszerű lehetőség a szilícium-szigetelt kapu bipoláris tranzisztorok (SI IGBT) és a szilícium-karbid fém-oxid-félvezető mező-hatású tranzisztorok (SIC MOSFETS).Ezen eszközök mindegyikének egyedi tulajdonságai és előnyei vannak, így különféle felhasználásokra alkalmassá teszik őket.Ez a cikk megmagyarázza a Si Igbts és a SIC MOSFET -ek közötti fő különbségeket, megvitatva jellemzőiket, előnyeiket, hátrányait és azt, hogy miként befolyásolják a frekvenciaváltó technológiát, különösen a motoros meghajtó rendszerekben.Ezeknek a különbségeknek a megértésével a mérnökök és a tervezők jobb döntéseket hozhatnak a hatalmi elektronikai projektek javítása érdekében.

Katalógus

1. ábra: MOSFET vs. IGBT

A Si Igbts és a SIC MOSfets megértése

Sic mosfet

A szilícium-karbid fém-oxid-esemonductor mező-hatású tranzisztorok (SIC MOSFETS) a kapu termináljára alkalmazott feszültség szabályozásával működik.A SIC MOSFET -ek egyik fő előnye, hogy erősen ellenállnak a termikus kiszabadulásnak, olyan állapotban, amikor a hőmérséklet növekedése további hőmérséklet -növekedést eredményez, ami potenciálisan az eszköz meghibásodását okozhatja.Ez az ellenállás nagyrészt a szilícium -karbid (SIC) jobb hővezető képességének köszönhető, mint a szokásos szilícium.A SIC magas hővezetőképessége biztosítja a tényleges hőeloszlást az eszköz szintjén, a stabil működési hőmérsékleteket is nagy teljesítmény körülmények között.

Ez a hő kezelésének képessége nagyon fontos a magas hőmérsékletű környezetben, például az autókban és az ipari környezetben.Ezekben a helyzetekben az elektronikus alkatrészek megbízhatósága és hatékonysága nagyon fontosak, és a SIC MOSFET -ek erős megoldást kínálnak.A teljesítmény fenntartásának és a túlmelegedésnek a nehéz körülmények között történő megelőzésére való képességük nagyon kívánatossá teszi őket a teljesítmény -elektronikában, ahol a hő kezelése nagy aggodalomra ad okot.

Si igbts

A szilícium-szigetelt kapu bipoláris tranzisztorok (SI IGBT-k) az áram által vezérelt félvezető eszközök, amelyek áramot használnak a kapu termináljára.Ezeket a tranzisztorokat általában olyan alkalmazásokban használják, amelyek az egyenáramot (DC) váltakozó áramra (AC) alakítják át, különösen a motoros meghajtókban.A SI IGBT -k vonzereje az, hogy képesek hatékonyan kezelni a nagy áramokat.Gyors váltási sebességet is kínálnak, ami nagyon fontos a gyors és pontos energiaellátást igénylő alkalmazások számára.

Az elektromos tulajdonságokat illetően az SI IGBT -k nagy feszültségű besorolással rendelkeznek, lehetővé téve számukra, hogy biztonságosan működjenek nagyfeszültségű körülmények között.Ugyancsak alacsony feszültségcsökkenéssel bírnak az eszközön, amikor áramot vezetnek, ami alacsonyabb energiaveszteségeket és jobb hatékonyságot eredményez.Ezenkívül az SI IGBT -k alacsony vezetőképességű veszteségeket okoznak, vagyis kevesebb energiát használnak, amikor a tranzisztor „On” állapotban van, javítva a rendszer általános teljesítményét.

Ezek a tulajdonságok miatt az SI IGBT-k különösen alkalmassá teszik a nagy teljesítményű motoros meghajtó alkalmazásokhoz, például a gyártó rendszerekben.Erős teljesítményük ezekben a nehéz környezetekben annak köszönhető, hogy képesek hatékonyan váltani a nagy áramokat és a feszültségeket, így megfizethető és megbízható választássá teszik őket a nagy teljesítményű motorok szabályozására.

Frekvenciaváltók és azok hatása a motoros meghajtó rendszerekre

2. ábra: Inverterek és azok hatása a motoros meghajtó rendszerekre

A motoros meghajtású alkalmazásokban az inverterek nagy szerepet játszanak abban, hogy az egyenáramú (DC) az akkumulátorrendszerektől váltakozó áramig (AC) változtassanak, amelyet az elektromos motoroknak futtatniuk kell.Ez a változás nagyon szükséges az elektromos járművekhez, ahol a nagy akkumulátorcsomagok megadják a szükséges egyenáramú teljesítményt.Az inverterek a motor teljesítményének számos fontos részét kezelik, beleértve a sebességet, a nyomatékot, az energiát és a hatékonyságot.Segítenek a regeneráló fékezésben is, amely egy olyan szolgáltatás, amely a fékezés során rögzíti az energiát, és visszaküldi az akkumulátorba, így az egész rendszer energiahatékonyabbá válik.

Az alkalmazott inverter típusa nagyban befolyásolja a motor meghajtó rendszerének működését.Történelmileg kétféle inverter-típust használtak széles körben: Szilícium szigetelt kapu bipoláris tranzisztorok (SI IGBT) és szilícium-karbid fém-oxid-félvezető mező-hatású tranzisztorok (SIC MOSFET).

A SI IGBT-k voltak a szokásos választás, mivel megbízhatóak, és a gyártási folyamatok számukra jól megalapozottak.A SIC MOSFET -ek azonban egyre népszerűbbek, mert jobban teljesítenek.A SIC MOSFET -ek alacsonyabb váltási veszteségekkel, jobb hővezető képességgel bírnak, és magasabb frekvenciákon és hőmérsékleten működhetnek az SI IGBT -khez képest.Ezek az előnyök jobb hatékonysághoz, kevesebb hűtésigényhez és a kisebb és könnyebb motoros hajtómű -rendszerek megtervezéséhez vezetnek.

Eleinte a SIC MOSFET-ek magas költségei korlátozták a csúcskategóriás vagy speciális alkalmazásokra.A gyártási technológia és a tömegtermelés fejlesztése azonban jelentősen csökkentette a SIC -eszközök költségeit, ezáltal praktikus és vonzó lehetőség a motoros meghajtó alkalmazások szélesebb körében.Ez a költségcsökkentés, teljesítményük előnyeivel együtt, a SIC MOSFET -ek több felhasználásához vezetett a különféle iparágakban, ideértve az autóipari, ipari automatizálás és a megújuló energia ágazatokat.

A Si igbts és a SIC MOSFET -ek előnyei és hátrányai

SI IGBTS (szilícium szigetelt kapu bipoláris tranzisztorok)

A szilícium szigetelt kapu bipoláris tranzisztorokat (SI IGBT-k) nagy teljesítményű alkalmazásokban széles körben használják erős teljesítményjellemzőik miatt.Itt egy részletes áttekintés az előnyeikről és hátrányairól:

• A Si igbts előnyei

Jól kezeli a nagy áramokat: A SI IGBT -k nagyon jól tudnak hatékonyan kezelni a nagy áramokat.Ez jó választást jelent azoknak az alkalmazásoknak, amelyeknek nagy teljesítményterheléseket kell kezelniük, például ipari gépeket és elektromos járműveket.

Gyors kapcsolási sebesség: Az SI IGBT -k gyorsan be- és kikapcsolhatnak, ami javítja azok teljesítményét olyan rendszerekben, amelyek gyors változást igényelnek az aktuális áramlásban.Ez a gyors váltási képesség hasznos azoknak az alkalmazásoknak, amelyek gyors változásokat igényelnek, ami jobb reagálást és teljesítményt eredményez.

Olcsó: Az SI IGBT-k gyártási folyamata érett és jól megalapozott, ami alacsonyabb termelési költségeket eredményez.Ez a költség-előny miatt az SI IGBT-ket költségvetés-barát választássá teszik sok nagy teljesítményű alkalmazás számára, így csökkentve a rendszer költségeit.

Képes kezelni a nagyfeszültségeket: A SI IGBT -k ellenállnak a nagyfeszültségeknek, így alkalmassá teszik azokat a nagyfeszültségű szintű alkalmazásokhoz.Ez a képesség különösen hasznos az energiaátviteli és elosztó rendszerekben, ahol nagy feszültségű állóképességre van szükség.

Alacsony energiaveszteség: Az SI IGBT -k minimális feszültségcsökkenéssel és vezetőképességű veszteséggel bírnak az áram kezelése során.Ez a hatékonyság csökkenti az energiaveszteséget és javítja az általános rendszer teljesítményét, ami jó az energiaérzékeny alkalmazások nagy hatékonyságának fenntartására.

• A Si igbts hátrányai

Hajlamos a túlmelegedésre: Nagy teljesítményű alkalmazásokban, például az elektromos járművekben vagy az ipari rendszerekben, az SI IGBT-k túlmelegedhetnek.Ez a túlmelegedés termikus kiszabaduláshoz vezethet, olyan állapotban, amikor a növekvő hőmérséklet tovább növeli a hőmérsékletet, ami potenciálisan az eszköz meghibásodásához vezet.A termikus problémáknak ez a kockázata megbízhatósági problémát jelent a nagy teljesítményű helyzetekben.

Lassabb kikapcsolási idő: Néhány újabb félvezető eszközhöz képest az SI IGBT -k hosszabb ideig tartanak a kikapcsoláshoz.Ez a lassabb kikapcsolás korlátozhatja azok hatékonyságát olyan alkalmazásokban, amelyek nagyon gyors váltást igényelnek, mint például a magas frekvenciájú inverterek vagy a fejlett motorvezérlő rendszerek.A lassabb kikapcsolási idő fokozhatja a váltási veszteségeket és csökkentheti az ilyen alkalmazások általános hatékonyságát.

SIC MOSFET-ek (szilícium-karbid fém-oxid-escemorctor mező-hatású tranzisztorok)

A motoros meghajtású alkalmazásokban a szilícium szigetelt kapu bipoláris tranzisztorok (SI IGBT) és a szilícium-karbid fém-oxid-esemicátor mező-hatású tranzisztorok (SIC MOSFETS) kiválasztása nagymértékben befolyásolja a rendszer teljesítményét és hatékonyságát.A SIC MOSFET-ek előnyeinek és hátrányainak megértése segít megmagyarázni, hogy miért válnak népszerű választássá sok nagy teljesítményű alkalmazásban néhány kihívás ellenére.

• A SIC MOSFET -ek előnyei

Nagyobb hatékonyság: A SIC MOSFET -ek alacsonyabb vezetési és váltási veszteségeket mutatnak, mint a SI IGBT -k.Ez a jobb hatékonyság csökkenti az energiafogyasztást, és növeli a motoros meghajtó rendszer általános teljesítményét.Az alacsonyabb veszteségek azt jelentik, hogy a kevesebb energiát pazarolják el hő, ami hatékonyabb energiafelhasználást eredményez.

Jobb hőkezelés: A szilícium -karbid jobban hőt visel, mint a szilícium.Ez lehetővé teszi a SIC MOSFET-ek számára, hogy hatékonyabban kezeljék a hőt, megtartják teljesítményüket és megbízhatóságukat is nagy teljesítményű körülmények között.A jobb hőgazdálkodás csökkenti a kiterjedt hűtőrendszerek szükségességét, a tervezés egyszerűbbé és a költségek csökkentésével.

Gyorsabb váltás: A SIC MOSFET -ek sokkal magasabb kapcsolási frekvenciákon működhetnek, mint a SI IGBT -k.A gyorsabb váltás lehetővé teszi a motor pontosabb irányítását, és javíthatja a gyors váltást igénylő alkalmazások teljesítményét.Ez különösen akkor hasznos az elektromos járművek meghajtásaiban és az ipari motorvezérlésben, ahol a hatékonyság és a gyors reagálási idő nagyon fontos.

Nagyobb feszültségkezelés: A SIC MOSFET-ek magasabb feszültségeket képesek kezelni, mint a SI IGBT-ket, így alkalmassá teszik azokat nagyfeszültségű alkalmazásokhoz.Ez a magasabb feszültség-tolerancia hasznos az energiahálózat-interfészekben és a nagy teljesítményű ipari meghajtókban, ahol erős feszültségkezelésre van szükség.

Kisebb méret: Jobb hatékonyságuk és hőtulajdonságuk miatt a SIC MOSFET -ek kisebbek lehetnek, mint a szilícium társaik.Ez a méretcsökkentés jó a kompaktabb és könnyebb rendszerek létrehozásához, ami különösen értékes olyan alkalmazásokban, mint az elektromos járművek, ahol a hely és a súly megtakarítása nagyon fontos.

• A SIC MOSFET -ek hátrányai

Magasabb költség: A SIC MOSFET -ek készítése bonyolultabb és drágább, mint a SI IGBT -k készítése.Ez a magasabb termelési költség magasabb vételárhoz vezet, ami akadályt jelenthet, különösen a költségérzékeny alkalmazásokban.Mivel azonban a gyártás javul és nagyobb mennyiségeket termel, ezek a költségek fokozatosan csökkennek.

Korlátozott piaci felhasználás: Újabb technológiaként a SIC MOSFET -eket még nem fogadták el olyan széles körben, mint a SI IGBT -k.Ez a korlátozott felhasználás kevesebb rendelkezésre álló alkatrészt és kevesebb támogatást eredményezhet, így a mérnököknek megnehezíthetik az alkatrészek megtalálását és a műszaki segítséget.Az idő múlásával, mivel a SIC technológia egyre gyakoribbá válik, ez a korlátozás várhatóan csökkent.

Komplex meghajtó igények: A SIC MOSFET -eknek gyakran fejlettebb meghajtó áramkörre van szükségük, mint az SI IGBT -k.Ennek a meghajtóáramkörnek az összetettsége bonyolultathatja a rendszer teljes tervezését és esetleg növeli a fejlesztési költségeket.A mérnököknek gondosan meg kell tervezniük és be kell hajtaniuk ezeket az áramköröket, hogy teljes mértékben kihasználják a SIC technológiát.

Javított inverter technológia SIC MOSFET -ekkel

3. ábra: A Power szekrény SI oldat összehasonlítása a SIC -oldathoz a motoros meghajtó frekvenciaváltókhoz

A szilícium -karbid MOSFET -ek (SIC MOSFET -ek) jelentősen javították az invertert technológiát a motoros meghajtó rendszerekben, és számos előnyt kínálnak a szilícium szigetelt kapu bipoláris tranzisztorokhoz (SI IGBT).A SIC MOSFET -ek sokkal magasabb váltási sebességgel működhetnek alacsonyabb váltási veszteségeik miatt, lehetővé téve a motor sebességének és nyomatékának pontosabb szabályozását.Jobban kezelik a hőt is, ami azt jelenti, hogy hatékonyabban megszabadulnak a hőtől, és csökkentik a nagy hűtőrendszerek szükségességét.Ez kisebb és könnyebb inverter mintákhoz vezet, ami különösen jó az elektromos járművek számára.

A SIC MOSFET -ek magasabb hőmérsékleten is működhetnek, növelve a motoros meghajtó rendszerek megbízhatóságát és élettartamát nehéz körülmények között.Míg a Si IgBT-k továbbra is használhatók olcsóbb alkalmazásokban, vagy ahol a magas kapcsolási sebesség és a hőkezelés kevésbé aggodalomra ad okot, a SIC MOSFET-ek hatékonyságát, jobb hőkezelését és magasabb teljesítményét képezik a nagy teljesítményhez és a megbízható motoros meghajtó alkalmazásokhoz,beleértve az elektromos járműveket és az ipari automatizálást.

Fő különbségek az IGBT -k és a MOSFET között

Paraméter	IGBT	Mosfet
Feszültségtartomány	600 V - 6500 V (közös nagyfeszültségű alkalmazások)	20 V - 1000 V (gyakori alacsony és közepes feszültségű alkalmazások)
Tipikus alkalmazások	Nagyfeszültségű, nagy áramú alkalmazások, például energiahálózatok, ipari hálózatok motorok és inverterek	Alacsony -közepes feszültségű alkalmazások, például tápegységek, audio erősítők és motorvezérlők
Állami feszültségcsepp (VCE vagy VDS)	Magasabb feszültségcsökkenés, általában 2 V -tól 4 V -ig	Alacsonyabb feszültségcsökkenés, általában 0,1 V -tól 1 V -ig
Váltási sebesség	Lassabb váltási sebesség (alacsonyabb frekvenciára alkalmasbb Alkalmazások)	Gyorsabb váltási sebesség (nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz is alkalmas)
Vezetőképességi veszteségek	Magasabb a bipoláris természet és a nagyobb feszültségcsökkenés miatt	Alacsonyabb az unipoláris jelleg és az alacsonyabb feszültségcsökkenés miatt
Kapcsolási veszteségek	Magasabb a lassabb váltási sebesség miatt	A gyorsabb váltási sebesség miatt alacsonyabb
Hőstabilitás	Jobb termikus teljesítmény magasabb teljesítményszinten	Korlátozott hőteljesítmény az IGBT -khez képest
Kontroll bonyolultság	Könnyebb kapu-meghajtóigény, jellemzően feszültségvezérlés	Bonyolultabb kapu -meghajtó áramköröket igényel áramvezérelt
Robusztusság	Általában jobb rövidzárlat ellenáll a képességeknek	Jellemzően alacsonyabb rövidzárlat ellenállási képesség
Költség	Általában magasabb az ekvivalens feszültség besorolása esetén	Általában alacsonyabb az ekvivalens feszültség besorolása esetén

Eszköz típusú eszköz

4. ábra: Az eszköz típusa - MOSFET és IGBT szimbólum összehasonlítás

Az IGBT-k (szigetelt GATE bipoláris tranzisztorok) a MOSFET-ek (fém-oxid-diemoker-mező-hatású tranzisztorok) és a bipoláris tranzisztorok keveréke.Van egy feszültségvezérelt kapujuk, mint a MOSFET-ek, ami megkönnyíti a váltást.Bipolárisszerű áram-hordozó képességük is van, lehetővé téve számukra a nagy teljesítményszint kezelését.A MOSFET-ek ezzel szemben csak feszültségvezérelt tranzisztorok.Az áram áramlását a forrásuk és a lefolyó terminálok között a kapura alkalmazott feszültség szabályozza.

Feszültségértékelés

5. ábra: Drain/Collector feszültség Vs.Áram a MOSFET és az IGBT számára

A feszültség besorolásához az IGBT-k jobbak a nagyfeszültségű felhasználásokhoz, több száz-ezer voltig.Ez alkalmassá teszi őket olyan nagy teljesítményű alkalmazásokhoz, mint például a motorhajtások és az áramforrások.A MOSFET -eket általában alacsonyabb és közepes feszültségű alkalmazásokban használják, a tíztől több száz voltig, amelyek gyakoriak az elektronikus kapcsolási áramkörökben és a feszültségszabályozókban.

Aktuális kezelés

6. ábra: VD-ID jellemzők 25 ° C-on és 150 ° C-on a MOSFET és az IGBT esetében

A jelenlegi kezelés szempontjából az IGBT-k kiválóan alkalmasak a nagy áramú alkalmazásokhoz, mivel bipoláris áram-hordozó képességük.Ez hasznossá teszi őket a nagy teljesítményű beállításokban.A MOSFET -eket azonban általában alacsonyabb vagy közepes áramú alkalmazásokhoz használják, ahol nagy hatékonyságra és gyors váltásra van szükség.

Váltási sebesség

A váltási sebesség egy másik nagy különbség.Az IGBT -k lassabban kapcsolnak, mint a MOSFET -ek, ami rendben van azoknál az alkalmazásoknál, ahol nincs szükség gyors váltásra.Másrészt a MOSFET-ek nagyfrekvenciás használatra készülnek, gyorsabb váltási sebességet kínálva.Ez alkalmassá teszi őket olyan alkalmazásokhoz, mint például a tápegységek és az átalakítók, amelyek gyors és hatékony váltást igényelnek.

Hatékonyság

A hatékonyság az IGBT -k és a MOSFET -ek között változik a feszültség és az áramszint alapján.Az IGBT-k alacsonyabb vezetési veszteségeket mutatnak nagy feszültség és áram mellett, így hatékonyabbak a nagy teljesítményű alkalmazásokban.A MOSFET-ek azonban alacsony feszültségekkel és áramokkal hatékonyabbak, mivel alacsony ellenállásuk és gyors váltási képességeik vannak.

Alkalmazások

7. ábra: A MOSFET alapszerkezete Vs.IGBT alapszerkezet

Ezeknek az eszközöknek a felhasználása tükrözi az erősségüket.Az IGBT-ket általában nagy teljesítményű helyzetekben, például motorhajtásokban, teljesítmény-inverterekben és indukciós fűtési rendszerekben használják, mivel képesek kezelni a nagyfeszültséget és az áramot.A MOSFET -ek jobbak azoknak az alkalmazásoknak, amelyek rangsorolják a gyors váltást és a hatékonyságot alacsonyabb teljesítményszinten, például elektronikus kapcsolási áramköröket és feszültségszabályozókat.

Kapu meghajtó követelményei

Végül, a kapu -meghajtó követelményei különböznek az IGBT -k és a MOSFET -ek között.Az IGBT -knek pozitív feszültségre van szükségük a kapunál a kibocsátáshoz viszonyítva, és a kapu feszültségének csökkentésével kikapcsolják.A MOSFET -eknek azonban pozitív feszültségre van szükségük a kapunál, a forráshoz viszonyítva, mind a be, mind a kikapcsoláshoz, így a kapu meghajtója egyszerűbbé és egyértelműbbé válik.

Következtetés

Mind a Si IgBT-k, mind a SIC MOSFET-ek egyedi erősségekkel rendelkeznek, amelyek megfelelnek a különböző nagy teljesítményű alkalmazásoknak.A Si IgBT -k nagyszerűen kezelik a nagy áramokat és a nagyfeszültségeket, és olcsóbbak a termeléshez, így megbízhatóvá teszik őket a hagyományos felhasználásokhoz, például az ipari motorokhoz és az elektromos hálózatokhoz.Ugyanakkor túlmelegedhetnek és lassabban válthatnak, ami problémát jelenthet a nagysebességű vagy nagyon forró környezetben.

Másrészt, a SIC MOSFET-ek jobban kezelik a hőt, gyorsabban váltanak és hatékonyabbak, és ezáltal a modern felhasználás kedvencévé válnak, mint például az elektromos autók és a nagy teljesítményű ipari rendszerek.Noha eleinte többet fizetnek, és összetettebb meghajtóáramkörökre van szükségük, a SIC technológiában folyamatban lévő fejlesztések csökkentik ezeket a kérdéseket, ami szélesebb körű felhasználást eredményez.

A SI IGBT -k és a SIC MOSFET -ek közötti választás az alkalmazás sajátos igényeitől függ, mint például a feszültség és az áram szintje, a váltás sebessége és a hőkezelés.Az egyes eszközök erősségeinek felhasználásával a mérnökök jobb teljesítményű elektronikus rendszereket tervezhetnek és építhetnek, javításokat és hatékonyságot vezethetnek a különféle technológiai területeken.

Gyakran feltett kérdések [GYIK]

1. Melyik a jobb IGBT vagy a MOSFET?

Az IGBT és a MOSFET közötti választás attól függ, hogy mire van szüksége.A MOSFETS általában jobb az alacsony és közepes teljesítményű feladatoknál, amelyek gyors váltási sebességre és jó hőkezelésre van szükségük.Jók olyan dolgokhoz, mint a tápegységek és a motorvezérlők.Az IGBT-k viszont jobbak a nagy teljesítményű feladatokhoz, mivel képesek kezelni a nagyobb áramokat és a nagyobb feszültségeket, így ideálisak az ipari motorok és az energiainverterek számára.

2. Az IGBT kicserélheti a MOSFET -et?

Időnként az IGBT-k helyettesíthetik a MOSFET-eket, különösen a nagy teljesítményű feladatok esetén, ahol nagyon szükség van nagy áramok és feszültségek kezelésére.Mivel azonban az IGBT -k lassabban váltanak és másképp kezelik a hőt, lehet, hogy nem jóak azoknak a feladatoknak, amelyek nagyon gyors váltásra és alacsony energiaveszteségre van szükségük, ahol a MOSFET -ek jobbak.

3. Honnan tudom, hogy van -e IGBT vagy MOSFET?

Ha megtudja, van -e IGBT vagy MOSFET, ellenőrizze az alkatrészszámot és a készítő részleteit.Az adatlapok megmutatják, hogy az eszköz IGBT vagy MOSFET.Lehet, hogy hasonlítanak, ezért ellenőriznie kell az összetevő dokumentációját vagy jelöléseit.

4. Melyik a leggyorsabb kapcsolóeszköz IGBT vagy MOSFET?

A MOSFETS általában a leggyorsabb váltóeszközök az IGBT -khez képest.Sokkal nagyobb sebességgel válthatnak, ami alkalmassá teszi azokat olyan feladatokhoz, amelyek gyors váltást igényelnek, mint például a tápegységekben és a nagyfrekvenciás inverterekben.

5. Honnan tudom, hogy van -e IGBT vagy MOSFET?

Megtudhatja, hogy van -e IGBT vagy MOSFET, ha megnézi az összetevő jelöléseit, és összehasonlítja azokat adatlapokkal vagy gyártó részleteivel.Ezek a dokumentumok részletes információkat nyújtanak a félvezető eszköz típusáról, beleértve az IGBT vagy a MOSFET -t is.