2024/11/20 -en 35

2N2369 Tranzisztor váltása: Pinout, alternatívák és specifikációk

Ez a cikk a 2N2369 tranzisztorot vizsgálja, amely nagysebességű teljesítményéről és megbízhatóságáról ismert az elektronika váltásában.Megvizsgáljuk annak PIN -konfigurációját, részletes előírásait és különféle alkalmazásokat.A vita magában foglalja a gyártók alternatív tranzisztorait és betekintését is, javítva megértésünket arról, hogy a 2N2369 miként lép kölcsönhatásba más elektronikus alkatrészekkel, és befolyásolja a technológiai fejlődést.

Katalógus

Mi a 2N2369 tranzisztor?

A 2N2369 A Transistor egy szilícium-sík epitaxiális NPN-eszköz, amely csodálja a Swift Swift Actions végrehajtásának képességét, alacsony telítettségi feszültséggel és hatékony kikapcsolási dinamikával.Műszaki mérnöki szempontból hasznossá teszi azokat a kontextusokat, ahol az energia megőrzésének és a gyors működés elérésének elérése az elektronikus áramkörök széles skáláján.A 2N2369 tranzisztor kiemelkedő tulajdonsága a nagy sebességű váltás végrehajtásának jártassága.Ez a szolgáltatás lényegét olyan alkalmazásokban találja meg, mint például az impulzuserősítők, ahol az államok közötti élénk átmenetek injektálják a vitalitást.A sebesség és a hatékonyság harmonikus keveréke egyetlen összetevőben műszaki puzzle -t mutatott be, ám ez a tranzisztor kecsesen egyesíti ezeket a tulajdonságokat.

A 2N2369 alacsony telítettségi feszültsége csökkenti az energiaveszteséget a működés közben, ami zökkenőmentesen illeszkedik az energiahatékonyságát magában foglaló rendszerekbe.Ez a tulajdonság megkönnyíti a hosszabb eszköz hosszú élettartamát, és megkönnyíti az áramkörök hőstresszét, amelyet a gyakorlati telepítésekben gyakran értékelnek az energiaérzékenységet igénylő gyakorlati telepítések.A gyors kikapcsolási jellemző növeli a tranzisztor nagyfrekvenciás alkalmazásokra való alkalmasságát.Azáltal, hogy megfékezi az időt, hogy aktív marad, amikor felesleges, az áramkörök fenntarthatják a félelmetes hatékonyságot és a teljesítményt.Összehasonlítható a fejlett autófékes rendszerekkel, amelyek gyorsan válaszolnak a meghajtó parancsára.Az alacsony energiafelhasználás és a csillagteljesítmény közötti kiegyensúlyozás fókuszkötéssé válik.A 2N2369 építészeti finomsága megkönnyíti ezt, és kiváló választást jelent a hordozható elektronika számára, ahol az akkumulátor hosszú élettartama az uralkodó aggodalom.A 2N2369 gyors váltási bátorsága fontos a nagysebességű digitális keretekben, például a jelfeldolgozókban és az adat átalakítókban.

Az alábbi képen az NPN tranzisztor belső vázlatos diagramja mutatja, amely ábrázolja az alap (b), a kollektor (C) és az emitter (E) közötti kapcsolatokat.

2N2369 PIN -konfiguráció

2N2369 szimbólum és lábnyom

2N2369 Műszaki előírások

A Microsemi Corporation műszaki előírásai, jellemzői és paraméterei 2N2369a, valamint olyan összetevőkkel együtt, amelyek hasonló specifikációkat tartalmaznak.

Beír	Paraméter
Életciklus állapota	A gyártásban (utoljára frissítve: 1 hónappal ezelőtt)
Érintkezési helyezés	Ólom, ón
Szerkesztési típus	Lyukon keresztül
Pins száma	3
Gyűjtő-emitter bontási feszültség	15 V -os
Üzemi hőmérséklet	-65 ° C ~ 200 ° C TJ
Közzétett	2002
PBFree kód	nem
Nedvességérzékenységi szint (MSL)	1 (Korlátlan)
ECCN kód	EAR99
Max Power Delipation	360MW
Végső forma	HUZAL
Konfiguráció	EGYETLEN
Gyári átfutási idő	12 hét
Hegy	Lyukon keresztül
Csomag / tok	TO-206AA, TO-18-3 fémdoboz
Tranzisztor elem anyag	SZILÍCIUM
Elemek száma	1
Csomagolás	Tömeg
JESD-609 kód	e0
Alkatrész állapota	Aktív
A végződések száma	3
Végfelvétel	Ónvezeték
Végső helyzet	ALSÓ
PIN -kód	3
Energiaeloszlás	360MW
Eset csatlakozás	GYŰJTŐ
Polaritás/csatorna típusa	NPN
Collector kibocsátó feszültség (VCEO)	15 V -os
DC áramerősség (HFE) (Min) @ IC, VCE	20 @ 100MA 1V
Átmeneti frekvencia	500MHz
Emeritter alapfeszültség (VEBO)	4.5 V -os
Kollektor-kapacitási maximális	4PF
Rohs állapot	Nem ROHS-kompatibilis
Pályázat	ÁTKAPCSOLÁS
Tranzisztor típusa	NPN
Max Collector áram	400 mA
VCE telítettség (Max) @ IB, IC	450mV @ 10MA, 100MA
Kollektor alapfeszültség (VCBO)	40 V -os
VCesat-max	0,45 V
Sugárkeményítés	Nem
Ólommentes	Ólomot tartalmaz

A 2N2369 jellemzői

• Beír: Bipoláris NPN tranzisztor, sokoldalú alkalmazásokhoz.

• Max Collector áram: 200 mA, a mérsékelt elektromos terhelések támogatása.

• Gyűjtő-emitter bontási feszültség: 15 V, ideális alacsony és közepes teljesítményű energiaprojektekhez.

• Telítettségi feszültség (VCE): 450 mV, lehetővé téve az energiahatékony váltást.

• Alkalmazások: A jelerősítésben, a kismotoros vezérlésben és a nagysebességű váltásban használják.

• Teljesítmény: A gyors reagálási idő javítja az áramkör hatékonyságát a gyors kapcsolási forgatókönyvekben.

• Műszaki előnyök: Kiegyensúlyozza az elméleti specifikációkat a precíziós áramkörök megbízhatóságával.

• Rugalmasság: Adaptálható az innovatív tervekhez a mai fejlődő technológiai tájban.

• Legfontosabb erősségek: Hatékonyság, alkalmazkodóképesség és alkalmasság a modern mérnöki kihívásokhoz.

A 2N2369 alkalmazásai

Nagy sebességű váltás

A gyors váltási képességeiről és az alacsony gyűjtő-emitter telítettségi feszültségéről híres, a 2N2369 nagy sebességű váltási környezetben kiemelkedik.Zökkenőmentes interfészként működik az alacsony teljesítményű működtetők és a vezérlőáramkörök között.Ez az átmenet következetes megbízhatóságot biztosít az időérzékeny feladatokhoz, javítva a rendszer robusztusságát.Az ilyen megbízhatóságot mind a kereskedelmi, mind az ipari környezetben nagyra értékelik.

Jelerősítés

A 2N2369 az audio- és RF áramkörök előnyben részesített összetevője, amely alacsony zajerősítést igényel.Az erősítőkben történő használata megemeli a hang tisztaságát és a jel hűségét.Mások támaszkodnak erre a tranzisztorra, hogy fenntartsák a jel integritását a távolságokon, és finom egyensúlyt érjenek el a specifikációk és a gyakorlati felhasználás között.Ez tükrözi az audio és kommunikációs technológiák folyamatos fejlődését, ahol a tisztaság fontos.

Alkalmazások digitális és analóg rendszerekben

A 2N2369 széles körben integrálódik a modern digitális és analóg rendszerekbe, mivel képes kezelni a változatos áram- és feszültségszinteket.Ez egy fontos elem a komplex rendszerekben, például a digitális jelfeldolgozókban és a mikrovezérlőkben.Ezek a pontossággal tervezett alkatrészek lehetővé teszik a rendszerek számára, hogy gyorsan és pontosan elvégezzék a számításokat.A növekményes fejlesztések hatása a teljesítménynek, hangsúlyozva a villamosmérnöki gondos tervezési szempontokat.

A számításra és a telekommunikációra gyakorolt ​​hatás

A számítástechnika és a telekommunikáció területén a 2N2369 szerves része az alapvető architektúrának, amely alátámasztja az adatfeldolgozást és az átvitelt.Hozzájárulása fontos az energiafelhasználás optimalizálásában és a feldolgozási sebesség növelésében, a következő generációs számítástechnika fejlődéséhez.Noha a hatékonyságnövekedés egyénileg szerénynek tűnhet, ha hálózatokon keresztül alkalmazzák, figyelemre méltó előrelépéseket eredményeznek, szemléltetve a részletes mérnöki fejlesztések kiterjedt hatását.

A 2N2369 tranzisztor helyettesítései

• 2N2221

• 2N2222

• BC378

• BC378-6

• BC378-7

A 2N2369 alternatívái

Rész	Összehasonlít	Gyártók	Kategória	Leírás
Jan2n2369a	Aktuális rész	Mikrosemi	BJTS	Trans GP BJT NPN 15V 360MW 3PIN TO-18
Jantx2n2369a	Jan2n2369a vs jantx2n2369a	Mikrosemi	BJTS	Trans GP BJT NPN 15V 360MW 3PIN TO-18
Jans2N2369a	Jan2n2369a vs jans2n2369a	Mikrosemi	BJTS	TO-18 NPN 15V
2N2369a	Jan2n2369a vs 2N2369AleadFree	Központi félvezető		TO-18 NPN 15V 0.2A

Csomagméretek a 2N2369 -hez

2N2369 Gyártóinformációk

A Microsemi Corporation ragyog a kifinomult félvezető és rendszermegoldások fejlesztésében, amelyek olyan ágazatok számára készültek, mint a repülőgép, a védelem, a kommunikáció és az adatközpontok.Innovatív szellemük nyilvánvalóan nagy teljesítményű integrált áramkörök (ICS), élvonalbeli energiagazdálkodási eszközök és páratlan biztonságos hálózati megoldások bonyolultságában mutatkozik meg.A Microsemi hangsúlyozása a nagy teljesítményű ICS-re hangsúlyozza elkötelezettségüket a kortárs elektronika műszaki igényeinek kielégítése iránt.Ezek az ICS formák pontosságot és megbízhatóságot igénylő rendszerekhez, különösen az űr- és védelmi környezetben, ahol a kudarc kockázata jelentős lehet.A kommunikációs hálózatok hatékonyságának és képességeinek fejlesztését szintén lehetővé teszik ezek a nagy teljesítményű IC-k, kiemelve az innováció folyamatos erőfeszítéseit.A Microsemi energiagazdálkodási megoldásai befolyásos szerepet játszanak a mai energiatudatos tájban.Az energiafelhasználás maximalizálására, a hatékonyság csökkentésére és a működési hatékonyság fenntartására tervezték, ezek az eszközök erősen visszhangzik az adatközpontok adat-nehéz helyzetében.A hatékony energiagazdálkodás, mint a technikai szükségletként, stratégiai előnyt kínál, csökkent költségeket eredményez, és elősegíti a fenntartható gyakorlatokat, amelyek egyre fontosak a vállalati tervezésben.

Adatlap PDF

2N2222 adatlapok:

2N22 (18-22) DATABLEET.PDF